El objetivo es reforzar su capacidad productiva de chips DRAM y NAND en un contexto en el que la expansión de los centros de datos y la creciente demanda de hardware para IA mantienen la presión sobre la industria. Para ello, la compañía destinará 35,2 billones de wones (21.512 millones de euros) a una nueva fábrica en Yongin, denominada Y2, mientras que otros 19,1 billones de wones (11.700 millones de euros) financiarán la construcción de la planta M17 en Cheongju.
La planta Yongin Y2 será la segunda de las cuatro fábricas previstas dentro del complejo de semiconductores que SK Hynix desarrolla en Yongin y estará especializada en la producción de memorias DRAM, incluidas las memorias HBM (High Bandwidth Memory), fundamentales para aceleradores de inteligencia artificial como los utilizados por Nvidia, además de otras soluciones DRAM de nueva generación.
La construcción comenzará en julio de 2027 y la primera sala blanca, el entorno controlado imprescindible para la fabricación de semiconductores, entrará en funcionamiento en junio de 2029.
Por su parte, la planta M17 de Cheongju estará dedicada a la fabricación de memoria NAND, un segmento cuya demanda también experimenta un fuerte crecimiento. Las obras arrancarán en febrero de 2027 y la primera sala blanca abrirá en diciembre de 2028.
La compañía considera que ambas inversiones permitirán reforzar su capacidad para responder al aumento de pedidos previsto durante los próximos años. "En la era de la inteligencia artificial, la competitividad tecnológica por sí sola no es suficiente y la capacidad de suministrar el volumen necesario exactamente cuando los clientes lo necesitan constituye la ventaja competitiva definitiva", señala SK Hynix en un comunicado. Asimismo, la empresa ha indicado que la decisión se adopta tras analizar en profundidad la evolución esperada de la demanda que se espera que siga creciendo y siendo crítica durante la próxima década.