Samsung, Micron y SK Hynix, los tres mayores fabricantes mundiales de memoria DRAM, afrontan una demanda colectiva en Estados Unidos que les acusa de haber reducido deliberadamente la producción para provocar una escasez artificial y mantener elevados los precios en un momento marcado por el auge de la inteligencia artificial.
La denuncia, presentada ante un tribunal estadounidense, sostiene que las compañías aprovecharon el crecimiento de la demanda de memoria para centros de datos de IA para reorientar su capacidad de fabricación hacia este segmento, limitando al mismo tiempo la producción de memorias DDR3 y DDR4 destinadas al mercado de consumo.
La demanda considera que esta estrategia habría afectado directamente al coste de una amplia variedad de dispositivos electrónicos, desde ordenadores personales hasta teléfonos móviles, además de otros productos tecnológicos que dependen de este tipo de memoria.
La demanda apunta a una restricción coordinada de la oferta
La acusación sostiene que Samsung, Micron y SK Hynix actuaron de forma coordinada para reducir la oferta de memoria convencional mientras incrementaban la fabricación de memoria HBM
Según los demandantes, el incremento de precios no respondería únicamente a la evolución natural del mercado. La acusación sostiene que Samsung, Micron y SK Hynix actuaron de forma coordinada para reducir la oferta de memoria convencional mientras incrementaban la fabricación de memoria HBM, utilizada en aceleradores de inteligencia artificial y centros de datos, un segmento con mayores márgenes de rentabilidad.
La demanda argumenta que, en un mercado plenamente competitivo, el fuerte aumento de los precios habría incentivado a alguno de los fabricantes a incrementar la producción de memorias DDR3 y DDR4 para ganar cuota de mercado. Sin embargo, los tres principales productores habrían seguido la misma estrategia de reducción de la oferta, lo que habría impedido corregir la escalada de precios.
Asimismo, los demandantes destacan que el mercado mundial de memoria DRAM presenta una elevada concentración empresarial. El elevado coste de construir nuevas plantas de fabricación, que requiere inversiones de decenas de miles de millones de dólares y varios años de desarrollo, dificulta la entrada de nuevos competidores capaces de compensar una eventual reducción de la producción por parte de los líderes del sector. A ello se suman las restricciones impuestas por Estados Unidos a determinados fabricantes chinos para acceder a tecnologías avanzadas de fabricación de chips.
La demanda recuerda además que no es la primera vez que los fabricantes de memoria se enfrentan a acusaciones relacionadas con prácticas anticompetitivas. En 2005, Samsung se declaró culpable de participar en una conspiración internacional para fijar los precios de la memoria DRAM y aceptó el pago de una multa de 300 millones de dólares. SK Hynix también ha reconocido su participación y fue sancionada con 185 millones de dólares, mientras que Micron evitó una sanción tras colaborar con las autoridades estadounidenses durante la investigación.
Además, entre 2016 y 2018, las autoridades de competencia de China investigaron nuevamente a los principales fabricantes de memoria después de otra fuerte escalada de precios. Ahora, esta nueva demanda sostiene que el comportamiento observado durante los últimos meses reproduce un patrón similar al registrado en anteriores ocasiones. Por el momento, las acusaciones no han sido probadas y corresponderá a los tribunales determinar si existió una actuación coordinada entre las compañías.
Si (
No(
