Samsung tiene pensado invertir alrededor de 15 billones de euros (20 billones de wons) en 2028 para esta construcción, que tendrá lugar en un área que cubre alrededor de 109.000 metros cuadrados dentro de su campus de Giheung. Además, será en esta nueva instalación desde donde se ejecutará la investigación avanzada sobre dispositivos y procesos de próxima generación para semiconductores de memoria y sistemas, y también, se trabajará en el desarrollo de nuevas tecnologías innovadoras basadas en una hoja de ruta a largo plazo.
Siguiendo esta línea, la ceremonia de inauguración que ha tenido lugar hoy, ha contado con la asistencia del vicepresidente de Samsung, Jay Y. Lee, el presidente y director ejecutivo, Kye Hyun Kyung, el presidente de Memory Business, Jung-Bae Lee, el presidente de Foundry Business, Siyoung Choi, y el presidente de S.LSI Business, Yong-In. Park, junto con más de 100 empleados.
Por su parte, el presidente Kye Hyun Kyung, quien también dirige la División de Soluciones de Dispositivos (DS), ha expresado que “nuestro nuevo complejo de investigación y desarrollo de última generación se convertirá en un centro de innovación donde los mejores talentos de investigación de todo el mundo pueden venir y crecer juntos. Esperamos que este nuevo comienzo siente las bases para el crecimiento sostenible de nuestro negocio de semiconductores”.
La compañía busca superar los límites del escalado de semiconductores y solidificar su ventaja competitiva en tecnología de semiconductores
En cuanto a los objetivos de Samsung, es importante decir que con el establecimiento de la nueva instalación de I+D, la compañía busca “superar los límites del escalado de semiconductores y solidificar su ventaja competitiva en tecnología de semiconductores”, así lo ha publicado en un comunicado.
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Como dato curioso, Samsung ha escogido su campus Giheung, ubicado al sur de Seúl, cerca del campus Hwaseong de la División DS, para desarrollar este proyecto, ya que es el lugar de nacimiento de la primera DRAM de 64 Mb del mundo en 1992, lo que marca el comienzo del liderazgo en semiconductores de la compañía.
Asimismo, la firma ha explicado en un comunicado que “se espera que la nueva instalación de I+D de Giheung, junto con la línea de I+D de Hwaseong y el complejo de producción de semiconductores más grande del mundo en Pyeongtaek, eleve la sinergia entre los tres principales complejos de semiconductores de Samsung en el área metropolitana”.
Para concluir, cuando finalizó la ceremonia, el vicepresidente Jay Y. Lee visitó el campus de Hwaseong, donde se reunió con los empleados de la División DS, donde analizaron formas de promover la innovación dentro de la empresa. En una reunión separada con ejecutivos de la División DS, se trataron temas actuales sobre la industria global de semiconductores, el progreso de la investigación y desarrollo de tecnología de semiconductores de próxima generación y formas de asegurar la tecnología para expandir el liderazgo en semiconductores.
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