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Pat Gelsinger, CEO de Intel
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Pat Gelsinger, CEO de Intel

Intel modifica la nomenclatura de los nodos de proceso y firma un acuerdo con Qualcomm

Por Alfonso de Castañeda
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alfondcctelycom4com/8/8/17
martes 27 de julio de 2021, 12:34h

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Intel ha presentado su hoja de ruta de innovaciones en procesos y empaquete para la próxima ola de productos desde 2025 en adelante, junto a un cambio en la nomenclatura para los nodos de proceso y el adelanto de una asociación con Qualcomm.

Intel ha desvelado RibbonFET durante un encuentro desde Santa Clara, la primera arquitectura nueva de transistores que introduce en más de una década (desde los FinFET en 2011), así como PowerVia, un nuevo método de suministro de energía en la parte trasera, destacando su intención de adoptar con rapidez la litografía ultravioleta extrema (EUV) para su próxima generación de fabricación, denominada EUV de Alta Apertura Numérica.

“Hasta que se agote la tabla periódica, seremos implacables en nuestra búsqueda para cumplir con la Ley de Moore”

“Estamos aprovechando nuestra inigualable línea de innovación para ofrecer avances tecnológicos, desde el transistor, hasta el nivel del sistema. Hasta que se agote la tabla periódica, seremos implacables en nuestra búsqueda para cumplir con la Ley de Moore y en nuestro camino para innovar con la magia del silicio”, ha asegurado durante el acto Pat Gelsinger, CEO de Intel.

Según explica Intel, desde hace ya tiempo la industria reconoce que la nomenclatura tradicional de los nodos de proceso basados en nanómetros dejó de coincidir con la métrica de la longitud real de 1997. Por eso, la compañía ha introducido una nueva estructura de nomenclatura para sus nodos de proceso, creando “un marco claro y coherente” para ofrecer a los clientes una visión “más precisa” en la industria.

“Las innovaciones presentadas hoy no sólo habilitarán la hoja de ruta de productos de Intel, sino que también serán fundamentales para nuestros clientes de fundición”, ha señalado el directivo. “El interés por IFS ha sido muy positivo y estoy encantado de que hoy hayamos anunciado nuestros primeros clientes importantes”, ha destacado Gelsinger.

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RibbonFET y PowerVia

RibbonFET, la implementación de Intel de un transistor gate-all-around, es la primera nueva arquitectura de transistores de la empresa desde los FinFET en 2011, ofreciendo velocidades de conmutación de transistores más rápidas y consiguiendo la misma corriente de impulso que múltiples aletas en un espacio más reducido.

Por su parte, PowerVia es la primera implementación de Intel en el sector de suministro de energía en la parte trasera, que optimiza la señal de transmisión eliminando la necesidad de enrutar la energía en la parte frontal de la oblea.

La nueva nomenclatura de nodos de Intel

La compañía ha expuesto así su siguiente hoja de ruta con las nuevas nomenclaturas de nodos y las innovaciones que aporta cada una. De este modo, Intel 7 ofrece un aumento del rendimiento por vatio de entre el 10% y el 15% en comparación con Intel 10nm SuperFin, basado en las optimizaciones de los transistores FinFET, llegando a productos como Alder Lake para clientes en 2021 y Sapphire Rapids para el centro de datos que se espera en producción a principios de 2022.

Intel 4 adoptará por completo la litografía EUV para reproducir características increíblemente pequeñas con luz de longitud de onda ultracorta con un aumento de un 20% en el rendimiento por vatio, así como a mejoras de área, estando listo para su producción en la segunda mitad de 2022 en productos que se comercialicen en 2023, incluyendo Meteor Lake para clientes y Granite Rapids para el centro de datos.

Intel 3 aprovecha aún más las nuevas optimizaciones de FinFET y un mayor EUV para un aumento del rendimiento por vatio de un 18% con respecto a Intel 4, que estará listo para fabricarse en productos en la segunda mitad de 2023.

Por su parte, Intel 20A marca el comienzo de la era angstrom con RibbonFET y PowerVia que se espera que entre en funcionamiento en 2024.

Más allá del Intel 20A, Intel está desarrollando Intel 18A y se prevé que esté lista a principios de 2025 con mejoras en RibbonFET que ofrecerá otro salto en el rendimiento de los transistores.

Intel fabricará chips para Qualcomm

Intel ha mostrado además su entusiasmo con la oportunidad de asociarse con Qualcomm a través de la utilización de la tecnología de proceso Intel 20A. De este modo, el creador de los Snapdragon se convierte en el primer gran cliente importante para su nuevo negocio Intel Foundry Services, de manera que en los próximos años se empezarán a fabricar los chips de Qualcomm en las fabricas de Intel empleando el proceso 20A, por lo que teniendo en cuenta el calendario presentado no se espera que lleguen antes de finales de 2024, aunque no hay calendario oficial.

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