Los nuevos chips de memoria de Samsung serán siete veces más rápidos
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Los nuevos chips de memoria de Samsung serán siete veces más rápidos

miércoles 20 de enero de 2016, 13:47h

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La compañía surcoreana ha desvelado algunos datos sobre sus nuevos chips de memoria: serán siete veces más rápidos y tendrán el doble de ancho de banda por vatio que los anteriores modelos GDDR5. Samsung ha anunciado que la producción de estos dispositivos ya ha comenzado y su salida al mercado está prevista para finales de 2016.

Ya conocemos los primeros detalles de la nueva generación de chips para gráficos y servidores de Samsung. Estos dispositivos serán capaces de alcanzar una velocidad de hasta 256 GB, es decir, serán siete veces más rápidos y con dos veces más de ancho de banda por vatio que su versión anterior, los chips GDDR5.

Los nuevos chips tendrán el doble de ancho de banda por vatio que los anteriores modelos GDDR5

Eficiencia y ahorro energético

Samsung asegura que la nueva solución ofrecerá un “rendimiento sin precedentes”, ya que su eficiencia y ahorro de energía bate todos los récords, dentro de los chips disponibles en el mercado. Se trata de la segunda generación de la interfaz HBM, High Bandwith Memory, creada por AMD con un diseño 3D. Estos nuevos módulos están basados en la tecnología de producción de 20 nanómetros y están dirigidos a servidores y tarjetas gráficas.

Disponibles a finales de 2016

Samsung prevé comenzar a comercializar estos nuevos chips de memoria a finales de 2016, pero la fecha no es definitiva. Sewon Chun, vicepresidente de Marketing Memory de Samsung, aseguraba que mediante la producción de la próxima generación HBM2 contribuirán en mayor medida “a la adopción de los sistemas HPC de próxima generación”.

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