Samsung anuncia la primera memoria LPDDR5 DRAM para móviles

Samsung anuncia la primera memoria LPDDR5 DRAM para móviles

miércoles 18 de julio de 2018, 20:00h

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Samsung Electronics ha desarrollado la primera memoria RAM de acceso dinámico basada en la tecnología LPDDR5 con hasta 8GB de velocidad de transmisión de datos.

Esta memoria móvil de Samsung está basada en una arquitectura de diez nanómetros con una velocidad de datos de 6.400 megabits por segundo, 1,5 veces más potentes que los chips DRAM que se usan hoy en día.

"Este desarrollo del LPDDR5 de 8GB representa un paso hacia delante para soluciones de memorias de baja potencia"

Samsung ha doblado el número de bancos de memoria de las células DRAM, pasando de 8 a 16 con el objetivo de maximizar la potencia de los dispositivos y ocnseguir un funcionamiento más rápido y con un consumo menor para adaptarse así a la llegada de la 5G y mejorar el soporte de la IA.

“Este desarrollo del LPDDR5 de 8GB representa un paso hacia delante para soluciones de memorias de baja potencia”, destaca el vicepresidente senior de Planificiación de Memoria de Productos e Ingeniería de Aplicaciones en Samsung Electronics Jinman.

Adecuando el voltaje a las necesidades de cada momento

Según ha explicado la compañía, esta nueva memoria es capaz de reducir el voltaje empleado en función de la velocidad de procesador que demande cada app. Asimismo, integra un modo de baja potencia que reduce el consumo de energía a la mitad que las actuales LPDDR4X, consiguiendo reducir el consumo hasta un 30% y prolongando la vida útil de la batería.

Esta nueva memoria es capaz de reducir el voltaje empleado en función de la velocidad de procesador que demande cada app

Maximizando la potencia, el procesador permite soportar aplicaciones basadas en la inteligencia artificial y de aprendizaje, así como las apps 5G y la compatibilidad con UHD, permitiendo transferencias de hasta 51,2 gigabytes de datos por segundo.

La memoria estará disponible en dos anchos de banda distintos: 6.400 megabites por segundo a 1,1 de voltaje operativo y a 5.500 MB/s a 1,05 V. La fabricación comenzará tras completar los procesos de prueba y validación.

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