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Samsung impulsa la potencia de la 5G con chips RF de 8nm
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Samsung impulsa la potencia de la 5G con chips RF de 8nm

miércoles 09 de junio de 2021, 21:30h

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Samsung ha presentado hoy su más reciente tecnología de radiofrecuencia (RF) basada en un proceso de 8 nanómetros que promete un 35% de ahorro energético.

Samsung confía en que esta tecnología de fundición proporcione una solución de un solo chip, específicamente pensado para las comunicaciones 5G con soporte para diseños de chips multicanal y multiantena.

Además, se espera que la ampliación de la ampliación de la plataforma de RF de 8nm amplíe la posición de la compañía en el sector de los semiconductores 5G desde aplicaciones sub-6GHz hasta las mmWave.

Eficiencia energética

La plataforma de RF de 8nm proporciona hasta un 35% de aumento en la eficiencia energética y una reducción también del 35% del área lógica en comparación la solución de 14nm, según datos de la firma surcoreana, que destaca que desde 2017 ha enviado un total de 500 millones de chips RF móviles para smartphones premium (actualmente tiene en el mercado chips de 28nm, chips de 14nm y ahora llegarán los nuevos de 8nm).

“La RF de 8nm de Samsung será una gran solución para los clientes que buscan una larga duración de la batería y una excelente calidad de la señal”

"A través de la excelencia en la innovación y la fabricación de procesos, hemos reforzado nuestras ofertas de comunicación inalámbrica de próxima generación", asegura Hyung Jin Lee, Maestro del Equipo de Desarrollo de Tecnología de Fundición de Samsung. "A medida que se expande el 5G mmWave, la RF de 8nm de Samsung será una gran solución para los clientes que buscan una larga duración de la batería y una excelente calidad de la señal en dispositivos móviles compactos”, destaca el directivo.

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La nueva arquitectura RFeFET

El chip está fabricado en proceso de 8 nanómetros y con una nueva arquitectura exclusiva que la compañía ha denominado RFextremeFET (RFeFET) que permite mejorar significativamente las características de RF a la vez que emplea menos energía. Esta arquitectura complementa el escalado digital de Power-Performance-Area (PPA) y restablece el escalado analógico/RF al mismo tiempo, lo que permite así plataformas 5G de alto rendimiento.

En este sentido, Samsung explica que los bloques analógico/RF no han incorporado mejoras del PPA por “parásitos degenerativos como el aumento de la resistencia por el estrecho ancho de línea”, lo que resulta en que la mayoría de chips de comunicaciones tienden a ver degradadas las características de RF, como el deterioro del rendimiento de amplificación de la frecuencia de recepción y el aumento del consumo de energía.

De este modo, la optimización del proceso de Samsung maximiza la movilidad de los canales al mismo tiempo que minimiza los parásitos. “Como el rendimiento del RFeFET mejora considerablemente, se puede reducir el número total de transistores de los chips de RF y el área de los bloques analógicos/RF”, explican.

Samsung utilizará esta tecnología para fabricar semiconductores RF 5G para otras compañías y se espera que a lo largo de este 2021 lleguen los primeros equipos con este chip.

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