Samsung confÃa en que esta tecnologÃa de fundición proporcione una solución de un solo chip, especÃficamente pensado para las comunicaciones 5G con soporte para diseños de chips multicanal y multiantena.
Además, se espera que la ampliación de la ampliación de la plataforma de RF de 8nm amplÃe la posición de la compañÃa en el sector de los semiconductores 5G desde aplicaciones sub-6GHz hasta las mmWave.
Eficiencia energética
La plataforma de RF de 8nm proporciona hasta un 35% de aumento en la eficiencia energética y una reducción también del 35% del área lógica en comparación la solución de 14nm, según datos de la firma surcoreana, que destaca que desde 2017 ha enviado un total de 500 millones de chips RF móviles para smartphones premium (actualmente tiene en el mercado chips de 28nm, chips de 14nm y ahora llegarán los nuevos de 8nm).
âLa RF de 8nm de Samsung será una gran solución para los clientes que buscan una larga duración de la baterÃa y una excelente calidad de la señalâ
"A través de la excelencia en la innovación y la fabricación de procesos, hemos reforzado nuestras ofertas de comunicación inalámbrica de próxima generación", asegura Hyung Jin Lee, Maestro del Equipo de Desarrollo de TecnologÃa de Fundición de Samsung. "A medida que se expande el 5G mmWave, la RF de 8nm de Samsung será una gran solución para los clientes que buscan una larga duración de la baterÃa y una excelente calidad de la señal en dispositivos móviles compactosâ, destaca el directivo.
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La nueva arquitectura RFeFET
El chip está fabricado en proceso de 8 nanómetros y con una nueva arquitectura exclusiva que la compañÃa ha denominado RFextremeFET (RFeFET) que permite mejorar significativamente las caracterÃsticas de RF a la vez que emplea menos energÃa. Esta arquitectura complementa el escalado digital de Power-Performance-Area (PPA) y restablece el escalado analógico/RF al mismo tiempo, lo que permite asà plataformas 5G de alto rendimiento.
En este sentido, Samsung explica que los bloques analógico/RF no han incorporado mejoras del PPA por âparásitos degenerativos como el aumento de la resistencia por el estrecho ancho de lÃneaâ, lo que resulta en que la mayorÃa de chips de comunicaciones tienden a ver degradadas las caracterÃsticas de RF, como el deterioro del rendimiento de amplificación de la frecuencia de recepción y el aumento del consumo de energÃa.
De este modo, la optimización del proceso de Samsung maximiza la movilidad de los canales al mismo tiempo que minimiza los parásitos. âComo el rendimiento del RFeFET mejora considerablemente, se puede reducir el número total de transistores de los chips de RF y el área de los bloques analógicos/RFâ, explican.
Samsung utilizará esta tecnologÃa para fabricar semiconductores RF 5G para otras compañÃas y se espera que a lo largo de este 2021 lleguen los primeros equipos con este chip.